高功率 eGaN FET 系列具有更低的導通電阻、更低的電容、更高的電流和卓越的熱性能，可使電源轉換器的能效高達 98% 以上。這一全新系列 eGaN FET 將電阻 (RDS(ON)) 削減了一半，實現了高電流、高功率密度應用。最新一代 eGaN FET 相比上一代還將硬開關的品質因數 (FOM) 降低了一半，從而提升了高頻功率轉換應用中的開關性能。擴展 GaN 至 30 V 的性能優勢能夠在隔離式電源、PC 和服務器中實現高功率 DC-DC 轉換器、負載點 (POL) 轉換器和同步整流器。
EPC2019 功率晶體管 全新上市，歡迎訂購！
發布時間:2019/5/30 10:35:00 訪問次數:398 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司
a" data-cycle-center-horz="true" data-cycle-timeout="10000" cookie-tracking="ref_page_type=SP;ref_page_sub_type=PH;ref_page_id=%7B4F4B5FDB-515F-45A2-8D05-CC17AC94D370%7D;ref_page_event=Supplier%20Link;header_flag=link" style="margin-bottom:25px;font-family:Arial, Helvetica, sans-serif, dk;white-space:normal;position:relative;">
EPC 的 eGaN 功率晶體管繼續將功率轉換性能提升了一個檔次
同公司其他新聞- 03-0309KR-D6S-P
- 03-03R5F523W8BDBL#20
- 03-03EKMB1108111
- 03-030010883081
- 03-030010883081
- 03-0366046011210320
- 10-27EP1C3T144C6N
- 10-27MAX3081
- 11-01CN3082
- 11-01LM629M-8
- 11-01FMMT618/FMMT716
- 11-035393G
