產品描述：AO4812
30V雙N溝道MOSFET
AO4812采用先進的溝槽技術提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。兩個MOSFET使緊湊高效的開關和同步用于降壓轉換器的整流器組合。
產品摘要：AO4812
VDS
ID（VGS=10V）6A
RDS（ON）（VGS=10V）<30mΩ
RDS（ON）（VGS=4.5V）<42mΩ
生命周期：AO4812
量產
歐盟RoHS
是
歐盟RoHS版本
2011/65/EU
零件編號代碼
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描述
TransMOSFETN-CH30V6A8引腳SOIC
分類
二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET
產品面世日期
2009-01-1200:00:00
ECCN
EAR99
供應商籠子代碼
6USE7
HTSUSA
8541290095
組態
雙重雙排水
類別
功率MOSFET
頻道模式
增強
頻道類型
ñ
每個芯片的元素數量
2
最大漏極源電壓
30V
最大柵極源電壓
±20V
最大連續漏極電流
6A
最大漏極源電阻
30@10VmOhm
典型的柵極電荷@Vgs
5.2@10V|2.55@4.5VnC
典型的柵極電荷@10V
5.2nC
典型輸入電容@Vds
255@15VpF
最大功耗
2000MW
最低工作溫度
-55°C
最高工作溫度
150℃
基本包裝類型
引線框架SMT
包裹姓氏
SOP
供應商包裝
SOIC
包裝說明
小型IC
鉛形狀
鷗翼
針數
8
PCB
8
包裝長度（mm）
4.9
包裝寬度（mm）
3.9
包裝高度（mm）
1.5
坐式平面高度（mm）
1.65
針距（mm）
1.27
包裝材料
塑料
安裝
表面貼裝
制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.制造商零件編號 AO4812
描述 MOSFET2N-CH30V6A
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 2-個-N-溝道（雙）-Mosfet-陣列-30V-6A-2W-表面貼裝-8-SO
一般信息 數據列表 AO4812Datasheet;
標準包裝
包裝
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 -
規格 FET類型 2個N溝道（雙）
FET功能 標準
漏源電壓（Vdss） 30V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 6A
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 30毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 2.4V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 6.3nC@10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 310pF@15V
功率-最大值 2W
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝 8-SO
