產品描述：SIHG20N50C-E3

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

TransMOSFETN-CH500V20A3引腳（3+Tab）TO-247AC

產品特征：SIHG20N50C-E3

•低品質因數RonxQg

•100％雪崩測試

•高峰值電流能力

•dv/dt堅固耐用

•改進了Trr/Qrr

•改善了柵極電荷

•高功耗特性

•材料分類：用于合規性的定義

生命周期：SIHG20N50C-E3

量產

歐盟RoHS

是

歐盟RoHS版本

2011/65/EU，2015/863

零件編號代碼

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描述

TransMOSFETN-CH500V20A3引腳（3+Tab）TO-247AC

分類

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2009-06-2800:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

18612

HTSUSA

8541290095

組態

單

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

ñ

每個芯片的元素數量

1

最大漏極源電壓

500V

最大柵極源電壓

±30V

最大連續漏極電流

20A

最大漏極源電阻

270@10VmOhm

典型的柵極電荷@Vgs

65@10VnC

典型的柵極電荷@10V

65nC

典型輸入電容@Vds

2451@25VpF

最大功耗

250000mW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

150℃

基本包裝類型

通孔

包裹姓氏

TO-247

供應商包裝

TO-247AC

包裝說明

晶體管外形封裝

鉛形狀

通孔

針數

3

PCB

3

耳片

耳片

包裝長度（mm）

15.87（最大值）

包裝寬度（mm）

5.31（最大）

包裝高度（mm）

20.82（最大值）

坐式平面高度（mm）

25.11（最大值）

針距（mm）

5.46

包裝材料

塑料

安裝

通孔

封裝外形

下載PDF文檔

JEDEC

TO-247AC

Jedec信息（PKG大綱）

下載PDF文檔

MSL

1

最高波溫（°C）

300

波峰焊時間（秒）

10

波浪溫度。資源

下載PDF文檔

鉛涂層（電鍍）

啞光錫

制造商 VishaySiliconix
制造商零件編號 SIHG20N50C-E3
描述 MOSFETN-CH500V20ATO247
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔-N-溝道-pval-2068-20A（Tc）-250W（Tc）-TO-247AC

一般信息

數據列表 SIHG20N50C;

標準包裝SIHG20N50C-E3-ND;part_id=2207318;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 500
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 20A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 270毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 76nC@10V
Vgs（最大值） ±30V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2942pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247AC
封裝/外殼 TO-247-3