產品描述:FF150R12KS4
1200V雙IGBT模塊
半橋62mm1200V,150A雙IGBT模塊和快速IGBT2用于高頻開關,是您設計的正確選擇。
功能摘要:FF150R12KS4
•高短路能力
•自限制短路電流
•低開關損耗
•無與倫比的堅固性
•VCEsat具有正溫度系數
•CTI>400的包裝
•爬電距離和間隙距離遠
•隔離底板
•銅基板
•標準外殼
優點:FF150R12KS4
•PrimeSTACK™可以輕松快速開發
•靈活性
•最佳電氣性能
•最高的可靠性
目標應用:FF150R12KS4
•工業加熱和焊接
•太陽能系統解決方案
•不間斷電源(UPS)
•商業,建筑和農用車輛(CAV)
•工業加熱和焊接
制造商 InfineonTechnologies制造商零件編號 FF150R12KS4
描述 IGBTMODULEVCES1200V150A
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
詳細描述 IGBT-Module-2-個獨立式-pval-2103-pval-2101-pval-2109-底座安裝-模塊
一般信息
數據列表 FF150R12KS4;標準包裝FF150R12KS4HOSA1-ND;part_id=7401734;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 10
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-IGBT-模塊
系列 -
規格
配置 2個獨立式
電壓-集射極擊穿(最大值) 1200V
電流-集電極(Ic)(最大值) 225A
功率-最大值 1250W
不同Vge,Ic時的Vce(on) 3.7V@15V,150A
電流-集電極截止(最大值) 5mA
不同Vce時的輸入電容(Cies) 11nF@25V
輸入 標準
NTC熱敏電阻 無
工作溫度 -40°C~125°C
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應商器件封裝 模塊