一般說明：AO7800

雙N溝道增強模式場效應晶體管

AO7800采用先進的溝槽技術提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和柵極工作電壓低至1.8V，采用小型SOT363封裝。它可用于各種應用，包括負載切換，低電流逆變器和低電流DCDC

converter.It是ESD保護。

生命周期：AO7800

量產

歐盟RoHS

是

歐盟RoHS版本

2011/65/EU

零件編號代碼

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描述

TransMOSFETN-CH20V0.9A6引腳SC-70T/R.

分類

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2005-07-2700:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

6USE7

HTSUSA

8541210095

組態

雙

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

ñ

每個芯片的元素數量

2

最大漏極源電壓

20V

最大柵極源電壓

±8V

最大連續漏極電流

0.9A

最大漏極源電阻

300@4.5VmOhm

典型的柵極電荷@Vgs

1.57@4.5VnC

典型輸入電容@Vds

101@10VpF

最大功耗

為300mW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

150℃

供應商包裝

SC-70

針數

6

PCB

6

包裝長度（mm）

2.1

包裝寬度（mm）

1.3

包裝高度（mm）

0.9

坐式平面高度（mm）

1.1（最大值）

針距（mm）

0.65

包裝材料

塑料

安裝

表面貼裝

封裝外形

下載PDF文檔

MSL

1

最大回流溫度（°C）

245至260

回流焊時間（秒）

10

回流溫度資源

下載PDF文檔

波浪溫度。資源

下載PDF文檔

鉛涂層（電鍍）

啞光錫

終端底座材料

銅

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
制造商零件編號 AO7800
描述 MOSFET2N-CH20VSC70-6
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 26周
詳細描述 2-個-N-溝道（雙）-Mosfet-陣列-20V-900mA-300mW-表面貼裝-SC-70-6
一般信息 數據列表 AO7800;
SC70-6LPkgDrawing;

標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 -


規格 FET類型 2個N溝道（雙）
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 900mA
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 300毫歐@900mA，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 900mV@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 1.9nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 120pF@10V
功率-最大值 300mW
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SC-70-6