產品說明：IRLZ34NPBF

采用TO-220AB封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET

優點：IRLZ34NPBF

•符合RoHS標準

•低RDS（開啟）

•行業領先的質量

•動態dv/dt評級

•快速切換

•完全雪崩額定值

•175°C工作溫度

•邏輯電平

制造商 InfineonTechnologies
制造商零件編號 IRLZ34NPBF
描述 MOSFETN-CH55V30ATO-220AB
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 10周
詳細描述 通孔-N-溝道-pval-2068-30A（Tc）-68W（Tc）-TO-220AB

一般信息

數據列表 IRLZ34NPBF;

標準包裝IRLZ34NPBF-ND;part_id=811725;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 1,000
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 HEXFET®

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 30A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 4V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 35毫歐@16A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 2V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 25nC@5V
Vgs（最大值） ±16V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 880pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作溫度 -55°C~175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3