製造商: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: X1-DFN1006-3
通道數: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 410 mA
Rds On - 漏-源電阻: 1.4 Ohms
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.3 V
Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V
Qg - 閘極充電: 2.8 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 470 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: DMN62D1SFB
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Diodes Incorporated
互導 - 最小值: 100 mS
下降時間: 11.96 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.93 ns
原廠包裝數量: 10000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 18.8 ns
標準開啟延遲時間: 3.89 ns
每件重量: 1 mg
