成功的AEC-Q101認證意味著汽車電子現在可以充分利用eGaN®器件提高的效率，速度，更小的尺寸和更低的成本。
最新車型的特點和功能是耗電和電子驅動，給傳統的12 V配電總線帶來了額外的負擔。對于48 V總線系統，GaN技術可提高效率，縮小尺寸并降低系統成本。
光線遠距離和測距（激光雷達）使用脈沖激光快速提供車輛周圍環境的高分辨率360°三維圖像。GaN技術使激光信號的激光速度遠遠高于同類硅MOSFET元件。基于GaN的激光雷達使自動駕駛汽車能夠更遠，更快，更好地成為主要的“眼睛”。
在D類音頻系統中，音頻性能受FET特性的影響。GaN FET可實現更高保真度的D類音頻放大器。低導通電阻和低電容可實現瞬態互調失真（T-IMD），快速開關能力和零反向恢復電荷可實現更高的輸出線性度和低交越失真，從而降低總諧波失真（THD）。
eGaN FET可高效運行，并以低成本實現最大的無線電源系統效率。
對于LED高強度前照燈，GaN技術可提高效率，改善熱管理并降低系統成本。更高的開關頻率允許在AM波段以上工作并降低EMI。
應用 要處理 48 V至12 V DC-DC轉換器 高保真信息娛樂系統 無線電源 高強度頭燈
