產品描述：FDS4559

FDS4559：60V互補PowerTrench®MOSFET

此互補MOSFET器件采用飛兆先進的的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大程度地降低導通阻抗并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。

產品特性：FDS4559

Q1：N溝道

4.5A，60V

應用：FDS4559

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

DC/DC轉換器

能源管理

LCD背光逆變器

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDS4559
描述 MOSFETN/P-CH60V4.5A/3.5A8-SO
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 34周
詳細描述 N-和-P-溝道-Mosfet-陣列-60V-4.5A-3.5A-1W-表面貼裝-8-SOIC
一般信息 數據列表 FDS4559;

標準包裝FDS4559TR-ND;part_id=975847;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 PowerTrench®


規格 FET類型 N和P溝道
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 60V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 4.5A，3.5A
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 55毫歐@4.5A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 18nC@10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 650pF@25V
功率-最大值 1W
工作溫度 -55°C~175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝 8-SOIC