產品描述：MMBT589LT1G

MMBT589LT1G：30V，1.0A高電流PNP低VCE（sat）雙極晶體管

低VCE（sat）雙極晶體管是微型表面貼裝器件，具有超低飽和電壓VCE（sat）和高電流增益能力。它們設計用于低電壓，高速開關應用，其中經濟實惠的高效能量控制非常重要。

產品特性：MMBT589LT1G

低rDS（on）可提供更高的效率并延長電池壽命

微型SOT-23表面貼裝封裝可節省電路板空間

提供無鉛封裝

適用于汽車和其他應用的NSV前綴，需要獨特的站點和控制變更要求;AECQ101合格且PPAP能力

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 MMBT589LT1G
描述 TRANSPNP30V1ASOT-23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 8周
詳細描述 雙極-BJT-晶體管-PNP-30V-1A-100MHz-310mW-表面貼裝-SOT-23-3（TO-236）
一般信息 數據列表 MMBT,BSVMMBT589LT1G;

標準包裝MMBT589LT1GOSTR-ND;part_id=1481955;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-雙極(BJT)-單
系列 -


規格 晶體管類型 PNP
電流-集電極（Ic）（最大值） 1A
電壓-集射極擊穿（最大值） 30V
不同Ib，Ic時的Vce飽和值（最大值） 650mV@200mA，2A
電流-集電極截止（最大值） 100nA
不同Ic，Vce時的DC電流增益（hFE）（最小值） 100@500mA，2V
功率-最大值 310mW
頻率-躍遷 100MHz
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）