標準包裝
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800
包裝
標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 HEXFET®
規格 FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 150 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 67nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文檔 仿真模型 IRF640NS Spice Model
IRF640NSPBF Saber Model
IRF640NSPBF Saber Model
IRF640NSPBF Spice Model
其它有關文件 IR Part Numbering System
PCN 封裝 Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
PCN 組件/產地 Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 設計/規格 Copper Plating Update 31/Aug/2015
Material Chg 24/Nov/2015
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
