產品描述：MMBT5551LT1G

高壓晶體管
NPN硅

產品特征：MMBT5551LT1G
•汽車和其他需要獨特應用的S前綴
現場和控制變更要求; AEC-Q101合格和PPAP能力
•這些器件無鉛，無鹵素/ BFR，符合RoHS標準合規

制造商:MMBT5551LT1G
ON Semiconductor
產品種類:
雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
晶體管極性:
NPN
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
160 V
集電極—基極電壓 VCBO:
140 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:
6 V
集電極—射極飽和電壓:
0.15 V
最大直流電集電極電流:
0.6 A
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
系列:
MMBT5551L
直流電流增益 hFE 最大值:
250
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
集電極連續電流:
0.6 A
直流集電極/Base Gain hfe Min:
80
Pd-功率耗散:
225 mW
產品類型:
BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量:
3000
子類別:
Transistors
單位重量:
8 mg