這是SK海力士去年10月發表96層4D NAND后，時隔8個月再次發表新產品。16CPT-B-2A據韓媒《朝鮮日報》報導，SK海力士為使用TLC設計(每個Cell單元上安裝3bit)開發新產品，應用垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力回路設計等技術，制造出堆棧3600億以上NAND顆粒、128層的1Tb產品，不僅達到業界最高堆棧數，也超越三星電子量產的90層NAND。

雖然先前已有96層QLC 1Tb規格的產品，但TLC的性能、處理速度皆優于QLC，在NAND市場中，TLC產品市占率更達85%。因此SK海力士首次以TLC技術開發出高容量NAND，備受外界關注。

特別的是，雖然該產品將原本96層NAND產品增加32層，制程手續卻減少5%，加上128層4D NAND的每硅片位元生產率比96層4D NAND高4成，即使不使用PUC技術(外圍電路)，128層4D NAND的位元生產率仍然能提高15%以上。SK海力士對此說明，通過此方式能節省轉換新制程的花費，和上一代轉換投資費用相比，約能減少6成。《朝鮮日報》指出，這是SK海力士活用去年10月開發的4D NAND工藝平臺，并優化制程的成果。

SK海力士計劃下半年開始銷售128層4D NAND閃存。SK海力士相關人士表示，該產品即使在低電壓(1.2V)環境，也能達到1400Mbps數據傳輸速度，適合應用在高性能、低耗電的移動解決方案，以及企業用SSD(固態硬盤)中