產品描述：FDG6316P

FDG6316P：P溝道1.8V額定PowerTrench®MOSFET
此P溝道1.8V額定MOSFET采用飛兆半導體先進的低壓PowerTrench工藝生產。它已針對電池的電源管理應用進行了優化。

產品特性：FDG6316P
-0.7 A，-12 V.
RDS（ON）=270mΩ@ VGS = -4.5 V.
RDS（ON）=360mΩ@ VGS = -2.5 V.
RDS（ON）=650mΩ@ VGS = 1.8 V.
低柵極電荷
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
緊湊的工業標準SC70-6表面貼裝封裝

應用：FDG6316P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDG6316P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-323-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
12 V
Id-連續漏極電流:
700 mA
Rds On-漏源導通電阻:
270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
300 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDG6316P
晶體管類型:
2 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.25 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
2.5 S
下降時間:
13 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
13 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
8 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
零件號別名:
FDG6316P_NL
單位重量:
28 mg