產品描述：FDS86242

FDS86242：150V N溝道PowerTrench®MOSFET
這一Ñ溝道MOSFET器件采用飛兆半導體的高級的PowerTrench®工藝生產，該工藝專為實現RDS（ON），開關性能以及堅固性而優化。

產品特性：FDS86242
最大rDS（on）= 67 mO（VGS = 10 V，ID = 4.1 A）
最大rDS（on）= 98mO（VGS = 6 V，ID = 3.3 A）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
在廣泛使用的表面貼裝封裝中可實現高功率和高電流處理能力
100％經過UIL測試
符合RoHS標準

應用：FDS86242
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。
DC / DC轉換器
離線UPS
分布式電源架構和VRM
用于24V和48V系統的初級開關
高壓同步整流器

制造商:FDS86242
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
150 V
Id-連續漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導通電阻:
56.3 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Qg-柵極電荷:
4.9 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
配置:
Single
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.75 mm
長度:
4.9 mm
系列:
FDS86242
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
N-Channel Power Trench MOSFET
寬度:
3.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
11 S
下降時間:
10 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
10 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
23 ns
典型接通延遲時間:
16 ns
單位重量:
130 mg