產品描述：FDC654P

FDC654P：P溝道增強模式場效應晶體管
此P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆高級PowerTrench工藝生產。它已針對電池的電源管理應用進行了優化。

產品特性：FDC654P
-3.6 A，-30 V
RDS（ON）=75mΩ@ VGS = 10 V.
RDS（ON）=125mΩ@ VGS = -4.5 V.
低柵極電荷（6.2nC，典型值）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）

應用：FDC654P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDC654P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
3.6 A
Rds On-漏源導通電阻:
75 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.6 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC654P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.6 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
6 S
下降時間:
13 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
13 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
11 ns
典型接通延遲時間:
6 ns
零件號別名:
FDC654P_NL
單位重量:
36 mg