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SI8230BB-d-IS隔離式柵極驅動器和高壓GaN FET參考設計

發布時間:2019/7/2 16:44:00 訪問次數:225 發布企業:深圳市和諧世家電子有限公司

隔離式柵極驅動器和高壓GaN FET參考設計 Silicon Labs和Transphorm合作簡化其高壓GaN FET的評估過程

Silicon Labs和Transphorm隔離柵極驅動器以及GaN FET參考設計的圖像隔離技術簡化了設計,提供了業界最佳的時序特性,最高的可靠性和最低的排放。客戶依靠Silicon Labs解決方案來實現更高的系統效率,更高的抗噪性,更高的安全性和更小的占地面積。開發這些參考設計是為了快速采用客戶并加快產品上市時間。

Silicon Labs與的合作使設計人員能夠利用評估板來簡化高壓GaN FET的使用。這些評估板,包括一個完整的參考設計[3.3 kW無橋圖騰柱PFC(TDTTP3300-RD)],具有板載柵極驅動器,包括所有關鍵組件和布局,以實現最佳開關性能。這些設計資源用于演示Transphorm的GaN技術和性能。

特征 高抗噪性:> 200 kV /μs 低UVLO選項 行業定義的高端/低端驅動器或雙驅動器 緊湊型LGA / QFN封裝或寬爬電距離(> 8 mm)SOIC 隔離邏輯側的驅動器側電源狀態引腳 AEC-Q100資格 應用 太陽能逆變器 消費者和游戲PC電源 不間斷電源(UPS) 開關電源 數據中心電源 廣泛的工業力量 汽車 車載充電器(OBC) DC-DC轉換器 直流 - 交流逆變器

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