特性■主要-涌流主動管理的權力限制很低的待機電流- 3.0 v CMOS兼容的輸入-優化電磁發射電磁敏感度很低-符合歐盟2002/95 / EC指令■診斷功能-排水明溝狀態輸出通路狀態打開負載檢測-斷開的打開負載檢測熱關機指示■-關閉欠壓過壓保護夾-輸出堅持Vcc檢測負載電流限制。快速熱瞬態的自限制。防止地面損失和VCC熱關閉損失的保護

■所有類型的電阻、電感和電容負載描述VN5160S-E是一個采用STMicroelectronics VIPower M0-5技術制造的單片器件。它的目的是驅動電阻或感應負載與一側接地。有源VCC電壓鉗保護裝置免受低能量尖峰。當STAT_DIS處于打開狀態或低驅動狀態時，該設備檢測打開狀態和關閉狀態下的負載情況。在off狀態下檢測到短路到VCC的輸出。當STAT_DIS驅動高時，狀態處于高阻抗狀態。輸出電流限制保護裝置在過載狀態。在長時間過載的情況下，該設備限制耗散功率到安全水平，直到熱關機干預。自動重啟熱關機功能，使設備在故障狀態消失后立即恢復正常運行。解決方案1:接地線電阻(僅限RGND)，可用于任何負載類型。下面是關于RGND電阻尺寸的說明。1. RGND 600mV / (IS(on)max) 2。RGND VCC) / (-IGND)，其中-IGND為直流反向地腳電流，可以在設備數據表的絕對最大額定值部分找到。RGND中的功耗(當VCC<0:在反向電池的情況下)為:PD= (-VCC)2/ RGND，該電阻可以在幾個不同的hsd中共享。請注意，該電阻器的值應按式(1)計算，其中(on)max為不同器件的最大開態電流之和。請注意，如果微處理器地面不是由設備地面共享的，那么RGND將在輸入閾值和狀態輸出值中產生一個移位(is (on)max * RGND)。這一變化將取決于多少設備是在幾個高側驅動程序共享相同的RGND的情況下。如果計算的功耗導致一個大電阻或多個設備必須共享一個電阻，那么ST建議使用解決方案2(見下文)