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DMG1012T

發布時間:2019/7/4 8:58:00 訪問次數:285 發布企業:深圳市維基鴻電子有限公司

詳細參數 類別 FET - 單
描述 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
供應商電話 13590238352黃小姐
美臺 Diodes Inc
FET型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) 20V
電流_連續漏極(Id)0a025000C 630mA
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C 400 毫歐 @ 600mA,4.5V
Id時的Vgs(th)111最大222 1V @ 250μA
閘電荷(Qg)0a0Vgs 0.74nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)0a0Vds 60.67pF @ 16V
功率_最大 280mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-523



包裝 剪切帶 (CT)

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