TXS0108EPWR 8 位雙向電壓電平轉換器
型號：TXS0108EPWR
品牌：TI
封裝：QFN-20
批次：19+


描述：
這款 8 位非反向轉換器使用兩個獨立的可配置電源軌。A 端口跟蹤 VCCA 引腳的電源電壓。VCCA 引腳可接受
1.2V到3.6V范圍內的任意電源電壓。B 端口跟蹤 VCCB 引腳的電源電壓。VCCB 引腳可接受 1.65V 到 5.5V范圍內的
任意電源電壓。這兩個輸入電源引腳可實現 1.2V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 電壓節點之間的任意低壓雙向轉換。
輸出使能 (OE) 輸入為低電平時，所有輸出均將置于高阻抗 (Hi-Z) 狀態。
為確保輸出在上電或斷電期間處于Hi-Z狀態，需通過一個下拉電阻將OE接至GND。該電阻的最小值取決于驅動器
的拉電流能力。


特點：
無需方向控制信號
最大數據速率
110Mbps（推挽）
1.2Mbps（開漏）
A 端口 1.2V 至 3.6V；B 端口 1.65V 至 5.5V (VCCA ≤ VCCB)
無需電源定序 - VCCA 或 VCCB 均可優先斜升
鎖斷性能超過 100mA，符合
JESD 78 II 類規范的要求
靜電放電 (ESD) 保護性能超過 JESD 22 規范的要求（A 端口）
2000V 人體放電模型 (A114-B)
150V 機器模型 (A115-A)
1000V 充電器件模型 (C101)
IEC 61000-4-2 ESD（B 端口）
±8kV 接觸放電
±6kV 氣隙放電


應用：
音頻
消費電子產品
計算機和計算機周邊




TPD4S012DRYR
TLV70230DBVR
SN75LBC174A16DWR
SN75LBC174A16DWR
LM2734XMK/NOPB
TPA6011A4PWPR
CC1310F128RGZR
SN65HVD10DR
TPS61500PWPR
TLV70450DBVR
TL431AIDBZR
AM3354BZCZD80
MSP430G2553IPW20R
TPA3131D2RHBR
INA199A3DCKR
SN74LVC1G14DBVR
CC1350F128RHBR
MSP430F5419AIPZR
CC110LRGPR
SN74LVC1G32DCKR
SN74LVC1G126DBVR
SN74LVC1G125DCKR
MSP430F2011IPWR
SG2524DR
TPS22929DDBVR
TPS73433DDCR
TPS73131DBVR
ADS1100A0IDBVR
INA129U/2K5
LM2575SX-ADJ/NOPB
THS4522IPWR
SG2524DR
THS4522IPWR
LP8861QPWPRQ1
LM2676SX-5.0/NOPB
TL431CDBZR
MAX232ECPWR
LM43603PWPR
TPS62153RGTR
PCM5101APWR
DS90UR906QSQ/NOPB
ISO1540DR
THS7314DR
SN65LVDS31PWR
TLV320DAC3100IRHBR
ISO1050DUBR
SN74LVC2T45DCUR
PCA9536DGKR
TM4C1230D5PMIR
TPA3130D2DAPR
REF3318AIDBZR
TLV62130ARGTR
TPA3116D2DADR
OPA348AIDBVR
BQ29700DSER
LM50CIM3X/NOPB
TL431ILPR
BQ28Z610DRZR
UCC25710DWR
TMP275AIDGKR
ADM706SARZ-REEL
MAX202CDR
SN65HVD1781DR
SN65HVD1785DR
TPS53353DQPR
SN65HVD08DR
THS8136IPHP
UC28025DWR
TPD1E05U06DPYR
TPS65251RHAR
TXS0108ERGYR
SN65LVDS93ADGGR
SN65HVD72DR
TMP435ADGSR
TLC5973DR
TWL1200IPFBRQ1
SN65HVD3088EDR
TPS3705-33DR
TPS7A3001DGNR
SN65HVD11DR
AM3352BZCZA60
SN75175DR
SN65HVD232DR
ISO3086DWR
ADC104S021CIMM/NOPB
ADC122S051CIMMX/NOPB
OPT3001DNPR
OPA1612AIDR
MAX3243ECPWR
LP2981-33DBVR
TPS54332DDAR
TXB0104RUTR
TPS54332DDAR
TXB0104RUTR
BQ24073RGTR
LM5122MHX/NOPB
TLC1543CDWR
DRV8801RTYR
LMK00105SQE/NOPB
ADS1110A0IDBVR
TPA3136D2PWPR
TPS563210DDFR
REF3025AIDBZR
LM2576HVT-ADJ/NOPB
OPA340NA/3K
SN65HVD35DR
DS90UB926QSQ/NOPB
DS90UB925QSQX/NOPB
芯片放大器OPA340NA/3K
芯片驅動器SN65HVD35DR
芯片LM5009AMM/NOPB
充電器芯片BQ25101YFPR
串行器芯片DS90UB926QSQ/NOPB
車載芯片DS90UB925QSQX/NOPB
REF3030AIDBZR
ISO3088DWR
SN75LVDS386DGGR
LMK04808BISQ/NOPB
DAC8830ICDR
DRV8818PWPR
OPA656U/2K5
TPS40009DGQR
LM2733XMFX/NOPB
REF3020AIDBZR
TPS2041BDBVR
CSD16322Q5C
TPA3250D2DDWR
TAS5760MDCAR
TAS5756MDCAR
TAS5731MPHPR
TAS5727PHPR
TAS5719PHPR
TAS5614LADDVR
TAS5342ADDVR
TPA5050RSAR
TPS2051CDBVR
TMP422AIDCNR
DAC7565ICPWR
OPA277U/2K5
UCC28910DR
LM331N/NOPB
SN65MLVD206DR
TXS0102DCTR
LM2574MX-5.0/NOPB
THS4521IDR
TPS79318DBVR
LM337IMPX/NOPB
SN74AVC4T245PWR
SN74LVC2G07DCKR
SN74LVC2G04DCKR
TPS2042BDR
LM22670MRX-ADJ/NOPB
LMR14020SDDAR
TPS65053RGER
INA209AIPWR
TPS62110RSAR
LM5160ADNTR
MSP430G2755IRHA40R
TLV5608IDWR
TLV2316IDGKR
OPA2180IDR
CDCV304PWR
TL432AIDBZR
TPA6130A2RTJR
PCM1808PWR
LM5007MM/NOPB
BQ27541DRZR-G1
TPA3118D2DAPR
TAS5711PHPR
TAS5754MDCAR
ADS1292IPBSR
LM21305SQ/NOPB
ADC121S101CIMF/NOPB
TPS7A8300RGWR
LM7321MF/NOPB
LMR10510XMFX/NOPB
GL850G
RT9186AGQV
IS43TR16128B-15HBLI
LMH6642MFX/NOPB
TPS62130ARGTR
TPD4E05U06DQAR
TPS2829DBVR
TPS2069CDBVR
TPS54560DDAR
MSP430G2553IRHB32R
TPS7333QDR
TPA6132A2RTER
BH1750FVI
BQ40Z50RSMR-R1
TPS65266RHBR
TPS63036YFGR
TPS62161DSGR
RT2516GSP
LM93CIMTX/NOPB
PCM9211PTR
TPS2042BDGNR
TPS65261RHBR
TPS65150PWPR
TLV70231DBVR
日韓科技戰爭簡史
2019年7月1日，日本政府正式宣布將從7月4日起，對韓國出口關鍵技術的材料施加限制，由此日本和韓國這對
矛盾重重的老冤家和新對手，最終走向了貿易戰爭的新臺面。
這場賭注了韓國和日本兩個國家命運的事件起因，表面來看：僅僅只是韓國法院對日本企業強制賠償“韓國勞工
”的裁決，該裁決要求日本公司賠償韓國在第二次世界大戰期間對強迫勞動的補償。
而更深的原因，則是日韓崛起背后，深埋于科技產業鏈條的利益之爭。
日本和韓國的科技戰爭背后，顯然不止舊怨，還有5G賽道下未來國運之爭的新仇。而這場日本與韓國科技戰爭的
起點。


對韓國的（偏愛）
韓國在半導體市場的崛起，除卻日本在“日美半導體戰爭”中的戰敗因素外，也和早年韓國在得到美國半導體技術
援助時，積攢下的人才基礎有關。
據公開資料顯示：1961年樸正熙發動軍事政變后，曾按照韓國國情開展了經濟開發五年計劃和新鄉村運動，并結
合三星等財閥的企業基礎，在與美國的合作中使得韓國的農業和工業得到快速的發展。
其中，1962-1996年間，韓國政府制定的七個五年計劃中，第1-4個五年計劃稱為“經濟開發計劃，第5-7個五年計
劃為“經濟社會發展計劃”。
而這些集中力量辦大事的動作，讓韓國得以在歷史潮流中，抓住了美國扶持韓國對抗日本的初心。
事實上，1995年后，韓國的半導體產業雖大，但韓國所能從事的半導體工作也僅限DRAM（內存）市場，而美國這
邊在1989年確定Windows系統為世界PC標準后，則快速通過扶持英特爾掌控了PC處理器X86架構的絕對話語權。
1992年時，三星憑借64M DRAM芯片成為當時內存芯片的龍頭企業。三星在半導體產業崛起后，也曾一度面臨美國發
起的反傾銷訴訟。
危急時刻，三星掌門人李健熙利用美國對日本在“軍事玩火”尚未消除的恐懼，派人游說克林頓政府說：
如果三星無法正常制造芯片，日本企業占據市場的趨勢將更加明顯，競爭者的減少將進一步抬高美國企業購入芯片
的價格，對于美國企業將更加不利。
于是，美國人僅向三星收取了0.74%的反傾銷稅，而對日本則最高收取100%反傾銷稅。
在世界最大的電子消費市場屬于美國，日本和韓國都十分依賴美國進口的1990年。美國對韓國的偏愛讓韓國在半導
體產業崛起的有恃無恐。
隨著日本半導體產業的遇阻，與半導體產業相關的顯示面板及其他信息時代的諸多產品，都受到了美國“偏愛”的波及。
比如，1989年后，用于生產OLED顯示面板的蒸鍍機的制造商Tokki公司曾一度瀕臨破產。而在這個特殊時期，韓國三星
給到了Tokki公司蒸鍍機的救命訂單。
基于這段“友情”經歷，在過去幾年Tokki公司生產的高端蒸鍍機產品，基本全部給到了韓國三星。正因如此，三星才能
在全球各地，四處建設OLED生產線，并在今天直接拿下了手機OLED屏幕市場93.3%的占有率。
而Tokki公司在走出困境后，隨后被日本企業佳能收購，更名Canon Tokki。
1995年以后，隨著日本和美國在“半導體戰爭”及“電信戰爭”中的落敗，美國憑借英特爾和微軟成為了世界互聯網中心。
而韓國則借助為美國的互聯網帝國提供DRAM內存芯片和屏幕生產等互補服務，在三星、LG和現代等跨國公司的帶動下，于20
06年憑借人均國民生產總值達到20,000美元，成為發達國家。
這其中，有著一個頗為有趣的小插曲：
1997年7月，亞洲金融危機席卷韓國。
韓國外債高筑、企業紛紛倒閉，失業率高升。而此時，韓國接受了由美國主導的國際貨幣基金的援助。并在這次美國限
制各種條件的原著中，對企業、金融、公共事業和勞動用工四個領域進行了大刀闊斧的改革。
值得注意的是，在最新的數據報告中，韓國是全球GPD與研發投入比最高的國家，也就是說世界上沒有誰比韓國更舍得花
錢搞技術。
改革后的韓國，每個國民經濟的核心領域的企業中都有美國資本的身影。憑借美國資本的援助，韓國僅在1999年就走出了
金融危機，成為東亞遭受金融危機沖擊的國家中最早恢復的國家。
而在美國和韓國借助互聯網及芯片等現代化科技產業飛速發展的那三十年，也被成為“日本失去的三十年”。
只是，和我們認知所不同的是，日本并非繳槍投降的落敗，而是忍辱負重的進行著自己的科技布局。畢竟，無論韓國對日
本有著怎樣的“恩情”，日本人怕是比韓國人更了解韓國仇日的決心。


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