產品描述：STP55NF06
這些功率MOSFET已經開發出來使用STMicroelectronics獨特的STripFET過程，專門設計用于最小化輸入電容和柵極電荷。 這個
使設備適合用作主要設備切換先進的高效隔離DCDC電信和計算機的轉換器應用程序和低門應用程序收費駕駛要求。

特征：STP55NF06
■100％雪崩測試
■出色的dv / dt功能

應用：STP55NF06
■切換應用程序

制造商:STP55NF06
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
50 A
Rds On-漏源導通電阻:
18 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
44.5 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
110 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
STripFET
封裝:
Tube
高度:
9.15 mm
長度:
10.4 mm
系列:
STP55NF06
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
4.6 mm
商標:
STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:
18 S
下降時間:
15 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
50 ns
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
36 ns
典型接通延遲時間:
20 ns
單位重量:
2.240 g