分立半導體晶體管STP7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z n溝道800 V, 1.5Ω,5.2,- 220,- 220 - fp, D2PAK, I2PAK Zener-protected SuperMESH™功率MOSFET特性

極高的dv/dt能力，100%雪崩測試，極低的本征電容，極好的制造重復性■切換應用分立半導體晶體管STP7NK80Z

通過對ST公司已建立的基于條帶的PowerMESH™布局進行極端優化，得到了SuperMESH™系列。除了顯著降低導通電阻外，還特別注意確保對最苛刻的應用程序具有非常好的dv/dt能力。該系列產品是對ST全系列高壓mosfet(包括革命性的MDmesh™產品)的補充。圖1所示。內部原理圖分立半導體晶體管STP7NK80Z

vds公司類型(@Tjmax) RDS () ID STP7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8ΩSTP7NK80ZFP 800 v 5.2 < 1.8ΩSTB7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8ΩSTB7NK80Z-1 800 v 5.2 < 1.8Ω

I2PAK 220《外交政策》D2PAKAM01476v1表1。設備匯總訂單代碼，標志包裝包裝

STB7NK80ZT4 B7NK80Z D²PAK磁帶e盤STB7NK80Z-1 B7NK80Z我²PAK TubeSTP7NK80Z P7NK80Z - 220 STP7NK80ZFP P7NK80ZFP - 220《外交政策》

符號參數價值

VDS漏源電壓(VGS = 0) 800 V VGS柵源電壓±30 V ID漏電流(連續)TC = 25℃5.2 5.2 (1)

1. 僅受允許的最高溫度限制分立半導體晶體管STP7NK80Z

A ID漏電流(連續)在TC = 100℃3.3 3.3 (1)A IDM (2)

2. 脈沖寬度受安全操作區域限制

漏電流(脈沖)20.8 20.8(1)在TC = 25°C 125 30 W降阻系數1 0.24 W/°C時，總耗散為零VESD (g)

門源ESD (HBM-C = 100 pF, R = 1.5 kΩ)4000 Vdv / dt (3)

3.ISD≤5.2, di / dt≤200 /µs VDD≤V (BR) DSS, Tj≤TJMAX。

峰值二極管恢復電壓斜率4.5 V/ns

VISO3條引線至外部散熱器的絕緣耐壓(RMS) (t=1 s;TC = 25°C)2500 VTj測試

最大工作結溫度存儲溫度分立半導體晶體管STP7NK80Z

-55年到150年熱數據符號參數rthj -外殼熱阻連接-外殼最大14.2°C/W Rthj-amb熱阻連接-環境最大62.5°C/W

Tl焊接用最高鉛溫300°C表4。雪崩特性符號參數值單位AR雪崩電流，重復或非重復(脈沖寬度受Tj Max限制)5.2

東亞峰會單脈沖雪崩能量(起始TJ = 25℃，ID = IAR, VDD = 50 V)