半導體晶體管STF14NM50NSTI14NM50N STP14NM50N n溝道500 V, 0.28Ωtyp。,12 MDmesh™II功率mosfet - 220《外交政策》,我²PAK - 220包數據表-生產數據

圖1所示。內部原理圖特性•100%雪崩測試•低輸入電容和柵電荷•低柵輸入電阻

•切換應用描述半導體晶體管STF14NM50N

這些器件是使用第二代MDmesh™技術開發的n通道功率MOSFET。這種革命性的功率MOSFET將垂直結構與公司的條形布局相結合，從而產生世界上最低的導通電阻和門電荷之一

絕對最大額定參數符號參數價值單位我²PAK - 220 - 220《外交政策》VDS漏源電壓500 V VGS柵源電壓±25v ID漏電流(連續)TC = 25°C 12 12 (1)

1. 受最大結溫的限制半導體晶體管STF14NM50N

A ID漏電流(連續)在TC = 100°C 8 8 (1) A IDM (2)

2. 脈沖寬度受安全操作區域限制半導體晶體管STF14NM50N

漏電流(脈沖)4848 (1)A

總耗散在TC = 25°C 90 25 W dv/dt (3)

3.ISD≤12a, di/dt≤400a /s,VDS峰值≤V(BR)DSS, VDD = 80% V(BR)DSS

峰值二極管恢復電壓斜率為15v /nsVISO3條引線至外部散熱器的絕緣耐壓(RMS) (t = 1 s;TC = 25℃)2500 V

儲存溫度- 55至150°C Tj Max。工作結溫150℃表3。熱數據符號參數價值單位- 220 - fp我²PAK - 220

符號參數試驗條件最小。Max。單位ISD ISDM (1)

1. 脈沖寬度受安全操作區域限制。

源漏電流源漏電流(脈沖)12 48一個一個房間隔缺損(2)

2. 脈沖,脈沖持續時間= 300µs,占空比1.5%

正向電壓ISD = 12a, VGS = 0 - 1.6 Vtrr Qrr IRRM

反向恢復時間反向恢復充電反向恢復電流

ISD = 12, di / dt = 100 /µs, VDD = 60 V(見圖20)252 2.8 22nsµC一

trr Qrr IRRM反向恢復時間反向恢復充電反向恢復電流

ISD = 12, di / dt = 100 /µs, VDD = 60 V, TJ = 150°C(見圖20)300年3.3 - 22.2nsµC一