靜態隨機存儲器N02L6181AB27I是一個集成內存設備，包含一個2 Mbit的靜態隨機訪問內存，按16位排列為131,072個單詞。該設備采用半導體公司先進的CMOS技術設計和制造，提供高速性能和超低功耗。基本設計與半導體公司的N02L63W3A相同，其處理工作在更高的電壓。該設備采用單芯片啟用(CE)控制和輸出啟用(OE)，便于內存擴展。字節控件(UB和LB)允許獨立地訪問上字節和下字節。靜態隨機存儲器N02L6181AB27I是各種低功耗應用的最佳選擇，如電池備份和手持設備。該設備可以在-40℃到+85℃的非常寬的溫度范圍內工作，并且可以在與其他標準128Kb x 16 SRAMs兼容的JEDEC標準包中使用。

靜態隨機存儲器N02L6181AB27I功能•單電源范圍寬1.65到2.2伏•非常低的待機電流0.5µa 1.8 v(典型的)•非常低的操作電流1.4 ma在1.8 v和1µs(典型的)馬•頁面模式操作電流非常低0.5在1.8 v和1µs(典型的)•簡單內存控制單片機為獨立啟用(CE)字節控制字節操作允許輸出(OE)內存擴展•低壓數據保留Vcc = 1.2 v•很快允許輸出訪問時間30 ns OE訪問時間•自動斷電待機模式•兼容TTL三態輸出驅動程序•節省空間緊湊的BGA包

操作特性(超過指定溫度范圍

1. 典型值在Vcc=Vcc Typ處測量。， TA=25℃，未經過100%測試。

馬克斯單元電源電壓VCC 1.65 1.8 2.2 V電壓VDR芯片Disabled2數據保留1.2 - 2.2 V輸入高壓VIH VCC VCC 0.7 + 0.3 V輸入低壓維爾-0.3 - 0.3 V電源電壓輸出高壓VOH IOH = 0.2 ma VCC - 0.2 V低電壓輸出人工卷= -0.2 ma 0.3 V輸入泄漏電流伊犁VIN = 0至0.5 VCCµA泄漏電流輸出ILO OE = VIH或芯片禁用0.5µA讀/寫操作電源電流@ 1 Time2µs周期

2. 指定此參數時禁用輸出，以避免外部加載效果。用戶必須添加驅動實際系統中預期輸出電容所需的電流。

ICC1靜態隨機存儲器N02L6181AB27I

VCC=2.2 V, VIN=VIH或啟用VIL芯片，IOUT = 0 1.4 3.0 mA

讀寫操作電源電流@ 70 ns循環時間2 ICC2

VCC=2.2 V, VIN=VIH或VIL芯片啟用，IOUT = 0 8.0 17.0 mA

頁面模式運行電源電流@ 70ns循環時間2(頁面模式運行圖見省電)

ICC3

VCC=2.2V, VIN=VIH或啟用VIL芯片，IOUT = 0 2.0 4.0 mA

讀/寫靜態操作電源電流

3.如果芯片被禁用(CE high)，此設備將假定為備用模式。為了實現低備用電流，所有輸入必須在VCC或VSS的0.2伏特之內

ICC4VCC=2.2V, VIN=VIH或啟用VIL芯片，IOUT = 0, f = 00.1馬最大待機電流t3為b1VCC = VCC或0V芯片禁用tA=