功能說明：MT47H32M16NF-25E:H
DRAM芯片DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84引腳FBGA
DDR2 SDRAM采用雙數據速率架構，可實現高速運行。雙倍數據速率架構本質上是一個4n預取架構，帶有接口設計用于在I / O球的每個時鐘周期傳輸兩個數據字。單身DDR2 SDRAM的READ或WRITE操作實際上包含一個4n位的單個，內部DRAM核心的兩個時鐘周期數據傳輸和四個相應的在I / O球上進行n位寬，半個時鐘周期的數據傳輸。雙向數據選通（DQS，DQS＃）與數據一起在外部傳輸用于接收器的數據捕獲。 DQS是DDR2 SDRAM傳輸的選通脈沖在READ期間和WRITE期間的存儲器控制器。 DQS與邊緣對齊READ的數據和WRITE數據的中心對齊。 x16產品有兩個數據選通脈沖，一個用于低位字節（LDQS，LDQS＃），另一個用于高位字節（UDQS，UDQS＃）。DDR2 SDRAM采用差分時鐘（CK和CK＃）工作;跨越CK變為高電平且CK＃變為低電平將被稱為CK的上升沿。命令（地址和控制信號）在CK的每個上升沿登記。輸入數據在DQS的兩個邊沿都被注冊，輸出數據被引用到兩個邊緣DQS以及CK的兩個邊緣。對DDR2 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的;訪問從選定的開始位置并繼續編程的編程數量的位置序列。訪問以ACTIVATE命令的注冊開始，然后是然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與ACTIVATE命令用于選擇要訪問的庫和行。地址與READ或WRITE命令一致的寄存位用于選擇銀行和突發訪問的起始列位置。DDR2 SDRAM提供四個或四個可編程讀取或寫入突發長度八個地點。 DDR2 SDRAM支持用另一個中斷8的突發讀取用另一次寫入讀取或寫入8次突發寫入。可以啟用自動預充電功能提供在突發訪問結束時啟動的自定時行預充電。與標準DDR SDRAM一樣，DDR2 SDRAM采用流水線式多庫架構實現并發操作，從而通過隱藏提供高效，有效的帶寬行預充電和激活時間。提供自刷新模式以及省電，省電模式。所有輸入均與SSTL_18的JEDEC標準兼容。全部驅動強度輸出與SSTL_18兼容。

特征：MT47H32M16NF-25E:H
•VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V
•JEDEC標準1.8V I / O（兼容SSTL_18）
•差分數據選通（DQS，DQS＃）選項
•4n位預取架構
•x8的重復輸出選通（RDQS）選項
•DLL用于將DQ和DQS轉換與CK對齊
•8個內部銀行同時運營
•可編程CAS延遲（CL）
•發布CAS附加延遲（AL）
•WRITE延遲= READ延遲 - 1 t
CK
•可選突發長度（BL）：4或8
•可調節的數據輸出驅動強度
•64ms，8192周期刷新
•片上終端（ODT）
•工業溫度（IT）選項
•汽車溫度（AT）選項
•符合RoHS標準
•支持JEDEC時鐘抖動規范

制造商:MT47H32M16NF-25E:H
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
類型:
SDRAM - DDR2
數據總線寬度:
16 bit
組織:
64 M x 16
封裝 / 箱體:
FBGA-84
存儲容量:
1 Gbit
最大時鐘頻率:
800 MHz
電源電壓-最大:
1.9 V
電源電壓-最小:
1.7 V
電源電流—最大值:
95 mA
最小工作溫度:
0 C
最大工作溫度:
+ 85 C
系列:
MT47H
封裝:
Tray
商標:
Micron
安裝風格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
DRAM
工廠包裝數量:
1368
子類別:
Memory & Data Storage