存儲器S29GL256P90TFCR20Cypress S29GL01G/512/256/128P為Mirrorbit®Flash產品，存儲器S29GL256P90TFCR20采用90nm工藝制造。這些設備提供了25 ns的快速頁面訪問時間和90 ns的隨機訪問時間。它們具有一個寫緩沖區，允許在一次操作中最多編程32個單詞/64字節，存儲器S29GL256P90TFCR20從而比標準編程算法更快的有效編程時間。這使得這些設備成為當今嵌入式應用程序的理想選擇，這些應用程序要求更高的密度、更好的性能和更低的功耗。存儲器S29GL256P90TFCR20Distinctive Characteristics  Single 3 V read/program/erase (2.7 - 3.6 V)  Enhanced VersatileI/O™ 控制 – All 輸入 水平 (address, control, levels) DQ 輸入 和 輸出 是 由 電壓 VIO input.VIO 范圍 是 1.65 到 VCC  90 海里 MirrorBit 工藝  8-word/16-byte 頁面 讀取 緩沖區  32-word/64-byte 寫 緩沖區 整體 減少 編程 時間 multiple-word 更新  Secured Silicon Sector 地區 – 128 - word/256 字節 部門 通過 8-word/16-byte permanent, 安全 識別 隨機 Electronic Serial Number – Can 被 編程 和 鎖定 在 工廠 或 客戶  64 年 Uniform Kword/128 Kbyte Sector Architecture – S29GL01GP:124個行業- S29GL512P: 512個行業- S29GL256P: 256個行業- S29GL128P:一百二十八 年 行業  100000 年 消除 周期 每 部門 典型  20 年 數據 保留 典型  Offered Packages – 56-pin TSOP – 64 - 球 Fortified BGA  Suspend 和 Resume 命令 Program 和 Erase 操作  Write 操作 狀態 位 指示 程序 和 擦 除 操作 完成  Unlock Bypass Program 命令 來 減少 編程 時間  Support 為 CFI (Common Flash Interface)  Persistent 和 Password Advanced 方法 Sector Protection  – WP#/ACC 輸入Accelerates 編程 時間 (when VHH applied) 更 大 的 吞吐量 在 系統 生產 – Protects 姓 或 部門 不管 部門 保護 設置  Hardware 復位 輸入 (RESET#) 重置 設備  Ready/Busy# 輸出 (RY/BY#) completion 檢測 程序 或 消除 周期