DDR4 SDRAM MT40A2G4 MT40A1G8 MT40A512M16動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A

動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A功能•VDD = VDDQ = 1.2 V±60 mv•頁= 2.5 V, -125 mv, + 250 mv•On-die,內部,可調VREFDQ代•1.2 V偽明渠I / O•T C最大到95°C - 64 ms, 8192動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A-周期刷新到85°C - 32女士,8192 -周期刷新> 85°C到95°C•16內部銀行(×8 x4): 4組4銀行每個•8內部銀行():2組,每組4銀行•8 n位預取架構•可編程數據選通前言•數據選通序言培訓•命令/地址延遲(CAL)•多用途寄存器讀寫能力•寫平•動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A自我刷新模式•低能耗汽車自我刷新(LPASR)•溫度可控刷新(TCR)•細粒度更新•自我刷新中止•最大的節電•驅動輸出校準•名義,公園,動態模上終止(ODT)•動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A數據總線反轉(DBI)為數據總線•命令/地址奇偶校驗(CA)•動態隨機存儲器MT40A1G8PM-083E:A數據庫寫循環冗余檢查(CRC)•每dram可尋址性•連接性測試•JEDEC JESD-79-4兼容•sPPR和hPPR能力

選項1標記•配置- 2gig x4 2G4 - 1gig x8 1G8 - 512 Meg x 16 512M16•78球FBGA包(無pb) - x4, x8

- 9毫米x 13.2毫米——啟點——8毫米x 12毫米-啟B, D, G - 7.5毫米x 11毫米——啟E、H, J SA•96 -球FBGA包(Pb-free)乘16 - 9毫米x 14毫米-啟一個HA - 8毫米x 14 mm -啟B司法院- 7.5毫米x 13.5毫米啟D, E,H LY - 7.5毫米x 13毫米-啟結核病J•時間周期時間- 0.625 ns @ CL = 22 (ddr4 - 3200) -062 E - 0.682 ns @ CL = 21 (ddr4 - 2933) -068 - 0.750 ns @ CL = 19 (ddr4 - 2666) -075 - 0.750 ns @ CL = 18 (ddr4 - 2666) -075 E - 0.833 ns @ CL = 17 (ddr4 - 2400) -083 - 0.833 ns @ CL = 16 (ddr4 - 2400) -083 E - 0.937 ns @ CL = 15 (ddr4 - 2133) -093 E - 1.071 ns @ CL = 13 (ddr4 - 1866) -107 E•操作溫度——商業(0°ืTCื95°C),沒有一個工業(-40°ืTCื95°C)•修訂:A: B, D, E, G: H: J注意:1。并不是所有列出的選項都可以組合起來定義所提供的產品

每8192×tREFI一次是可接受的選擇。將DRAM置于自刷新模式還可以減少切換CKE的需要。•并非所有在數據表中指定的功能都可以由較早的模具修訂支持，因為JEDEC的定義較晚。•x16設備的DQ總線由兩個字節組成。如果只需要使用一個字節,使用低字節數據傳輸和終止上字節指出:——連接UDQS_t VDDQ或VSS / VSSQ通過電阻器在200വ范圍.