華晶常用型號：CS630A8HCS12N65CS18N20CJ78M05CMU50N06ACS4N65FA9HDCS7N65A3RCS5N20A3CS3N25A4DCS5N60A3HDYCS10N80FA9CS12N65FA9R-G-T06CS10N65FA9RCS13N50FA9RCS18N20A4RCS3205B8CS8N65FA9R-GCS7N60FA9RCS8N60FA9HCS2N65A3HYCS740A8HGN7N65A3GN8N65ARCS3N40A23CS4N65A3RCS1N60A1HCS4N65CS7N65CS7N60CS8N60CS8N65CS10N60CS10N65CS12N60CS12N65
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場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。
場效應管通過投影
P溝道mos管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。晶體管有N型channel所有它稱為N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS（PMOS）管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。
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