IRFR120NTRPBF采用國際整流技術生產的第五代六極管
先進的加工技術達到極低
每個硅區上電阻。這個好處，加上
快速的開關速度和堅固的設備設計說明
HEXFET®Power mosfts是著名的，提供
該設計具有極高的效率和可靠性
適用于各種應用場合。
該D-Pak是專為表面安裝使用蒸汽
相、紅外線或波峰焊接技術。直
引線版本(IRFU系列)用于通孔安裝
應用程序。功率耗散水平高達1.5瓦
可能在典型的表面安裝應用
IRFR120NTRPBF制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 9.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 210 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 16.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 39 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 23 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns
零件號別名: SP001566944
單位重量: 4 g
