存儲器S29GL256P10TFI010系列由1 Gb、512 Mb、256 Mb和128mb組成，僅限3.0伏的頁面模式Flash設備，為當今嵌入式設計進行了優化，嵌入式設計需要較大的存儲陣列和豐富的功能。存儲器S29GL256P10TFI010這些設備是使用90納米鏡面技術制造的。存儲器S29GL256P10TFI010這些產品提供統一的64 Kword (128 Kbyte)統一扇區，并具有萬能控制功能，允許控制和I/O信號從1.65 V運行到VCC。Additional 特性 include:  Single 字 編程 或 32-word 編程 緩沖 增加 編程 速度  Program Suspend/Resume 和 Erase Suspend/Resume  Advanced Sector Protection 方法 保護 部門 要求  128 年 words/256 字節 的 Secured Silicon 區域 來 存儲 客戶 和 工廠 的 安全 信息安全的硅段是一次性可編程的。

存儲器S29GL256P10TFI010字節#引腳控制設備數據I/O引腳是否在字節或字配置中操作。如果將字節#引腳設置為邏輯“1”，則設備處于word配置中，DQ0-DQ15是活動的，并由CE#和OE#控制。如果將字節#引腳設置為邏輯“0”，則設備處于字節配置中，只有數據I/O引腳DQ0-DQ7是活動的，并由CE#和OE#控制。數據I/O引腳DQ8-DQ14是三態的，DQ15引腳用作LSB (A-1)地址函數的輸入。

leiotm (VIO)控制允許主機系統設置設備對所有輸入和輸出(地址、控制和DQ信號)產生和容忍的電壓水平。VIO的范圍是1.65到VCC。有關此設備上的VIO選項，請參閱第4頁中的訂購信息。例如，VIO的電壓為1.65-3.6伏，允許在1.8或3伏級別上進行I/O操作，驅動和接收來自同一數據總線上的其他1.8或3伏設備的信號。

7.4讀取所有內存需要訪問時間才能輸出陣列數據。在讀取操作中，每次從一個內存位置讀取數據。地址以隨機順序呈現給設備，通過設備的傳播延遲導致其輸出的數據與輸入的地址一起到達。設備默認在設備啟動或硬件重置后讀取陣列數據。要從內存數組中讀取數據，系統必須首先在Amax-A0上斷言一個有效地址，同時將OE#和CE#驅動到VIL。我們必須留在VIH。所有地址都鎖定在ce#的下端。在地址訪問時間(tACC)之后，數據將出現在DQ15-DQ0上，等于從穩定地址到有效輸出數據的延遲。OE#信號必須驅動到VIL。假設tACC訪問時間已滿足，則在訪問時間(tOE)從OE#的下降沿經過后，在DQ15-DQ0引腳上輸出數據