存儲器DS1245AB-100+1024k非易失性SRAMs是1048,576位，全靜態、非易失性SRAMs，按8位排列為131,072個單詞。每個完整的NV SRAM都有一個獨立的鋰能源和控制電路，不斷監測電壓互感器的超差情況。當發生這種情況時，鋰能源將自動打開，并無條件啟用寫保護，以防止數據損壞。DIP-package DS1245設備可以替代現有的128k x 8靜態ram，直接符合流行的bytewide 32針DIP標準。存儲器DS1245AB-100+PowerCap模塊包中的DS1245設備是直接表面安裝的，通常與DS9034PC PowerCap配套使用，形成完整的非易失性SRAM模塊。可以執行的寫周期數沒有限制，微處理器接口不需要額外的支持電路。

存儲器DS1245AB-100+當我們(寫啟用)處于非活動狀態(高)而CE(芯片啟用)和OE(輸出啟用)處于活動狀態(低)時，DS1245將執行一個讀循環。存儲器DS1245AB-100+由17個地址輸入(A0 - A16)指定的惟一地址定義了要訪問131,072字節數據中的哪一個。如果滿足CE和OE (output Enable)訪問時間，那么在最后一個地址輸入信號穩定之后，tACC(訪問時間)內的8個數據輸出驅動程序將獲得有效數據。如果不滿足OE和CE訪問時間，則必須從以后發生的信號(CE或OE)測量數據訪問，并且限制參數是CE的tCO或OE的tOE，而不是地址訪問。

在地址輸入穩定之后，只要WE和CE信號處于活動狀態(低)，DS1245就會執行一個寫周期。