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SK海力士公司今天宣布已開發并開始批量生產全球首款128層1Tb TLC（三層單元）4D NAND閃存，而這僅是在8個月之前才宣布推出96層4D NAND產品之后。
目前，128層1 Tb NAND芯片提供業界最高的垂直堆疊，擁有超過360億個NAND單元，每個單元存儲3個芯片。為實現這一目標，SK海力士應用創新技術，如“超均勻垂直蝕刻技術”，“高可靠性多層薄膜電池形成技術”和超快速低功耗電路設計，自行開發4D NAND技術。
新產品為TLC NAND閃存提供業界最高的1 Tb密度。包括SK海力士在內的多家公司已經開發出1個Tb QLC（四級單元）NAND產品，但SK海力士是第一個將1 Tb TLC NAND閃存商業化的公司。TLC占NAND閃存市場的85％以上，具有出色的性能和可靠性。
小芯片尺寸是4D NAND的最大優勢，使SK海力士能夠實現超高密度NAND閃存。該公司于2018年10月宣布推出創新的4D NAND，它將3D CTF（Charge Trap Flash）設計與PUC（Peri.Under Cell）技術相結合。
憑借相同的4D平臺和流程優化，SK海力士能夠將現有96層NAND上多達32層的制造流程總數減少5％。因此，與之前的技術遷移相比，從96層到128層NAND的過渡投資成本降低了60％，顯著提高了投資效率。
與公司的96層4D NAND相比，128層1 Tb 4D NAND將每個晶圓的鉆頭生產率提高了40％。
SK海力士將從今年下半年開始發售128層4D NAND閃存，同時繼續推出各種解決方案。
憑借其在單芯片中的四平面架構，該產品在1.2 V時實現了1,400 Mbps（兆位/秒）的數據傳輸速率，實現了高性能和低功耗的移動解決方案和企業級SSD。
SK海力士計劃于明年上半年為主要的旗艦智能手機客戶開發下一代UFS 3.1產品。使用128層1 Tb NAND閃存，1 TB（太字節）產品所需的NAND芯片數量（目前是智能手機的最大容量）將比512 Gb NAND減少一半;它將為客戶提供移動解決方案，在1毫米薄的封裝中功耗降低20％。
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