SI7489DP-T1-E3 原裝進口正品現貨供應，長期代理。只做正品。SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix | SI7489DP-T1-E3TR-ND | Digi-Key Electronics" src="https://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Siliconix%20Renders/742;5881;DP;8.jpg" />一般信息 數據列表 Si7489DP;

標準包裝SI7489DP-T1-E3TR-ND;part_id=1656635;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchFET®


規格 FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 28A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 41 毫歐 @ 7.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5.2W（Ta），83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8


文檔 HTML 規格書 Si7489DP



圖像和媒體 產品相片 PowerPAK SO-8

視頻文件 MOSFET Technologies for Power Conversion

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