HFA16PB120PBF ,HFA16PB120
制造商: Vishay產品種類: 整流器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247AC
Vr - 反向電壓 : 1200 V
If - 正向電流: 16 A
類型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Single
Vf - 正向電壓: 3.93 V
最大浪涌電流: 190 A
Ir - 反向電流 : 20 uA
恢復時間: 135 ns
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品: Rectifiers
寬度: 5.31 mm
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: Rectifiers
工廠包裝數量: 25
子類別: Diodes & Rectifiers
商標名: HEXFRED
零件號別名: HFA16PB120PBF
單位重量: 5.500 g
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IKW15T120
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 30 A
Pd-功率耗散: 110 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封裝: Tube
高度: 20.9 mm
長度: 15.9 mm
寬度: 5.3 mm
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938
單位重量: 38 g
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ST2310HI
制造商: STMicroelectronics
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-93-3
晶體管極性: NPN
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—基極電壓 VCBO: 1.5 kV
發射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V
最大直流電集電極電流: 12 A
最大工作溫度: + 150 C
系列: ST2310
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
集電極連續電流: 12 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 25
Pd-功率耗散: 55 W
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 30
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SKN130/12
Stud Diode
VRRM 1200 V
IFAV 130 A
貨號: 02235310
凈重: 0.096 千克
原產國: 巴西
生產商: SEMIKRON
SKN130/18
Stud Diode
VRRM 1800 V
IFAV 130 A
貨號: 02235340
凈重: 0.096 千克
原產國: 巴西
生產商: SEMIKRON
制造商: ON Semiconductor
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-4
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.78 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 160 A
Pd-功率耗散: 454 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
商標: ON Semiconductor
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
IRFP4332，IRFP4332PBF
IRFP054N
VS-75EPU12L-N3
IRFP450
HFA16PB120PBF
IRFP450PBF
HFA16PB120
FGH40T120
BUK436-800B
STW70N60M2
IKW15T120
RJH60F4DPQ
C4D20120D
IRGPS40B120UDP
79N60S1
63CPQ100PBF
63CPQ100
