GaNFast 電源 IC 具有易于使用的數字輸入、功率輸出和高頻電源系統。場效應晶體管 (FET)、驅動器和邏輯電路的單片集成創建了高性能構建模塊，使設計人員能夠創建快速、小巧、高效的集成電源系統。
高 dV/dt 抗擾度、高速集成驅動和行業標準的薄型、低電感 5 mm x 6 mm SMT QFN 封裝使設計人員能夠簡便地利用 Navitas 的氮化鎵 (GaN) 技術創建快速、可靠的解決方案，帶來突破性功率密度和效率。這些 IC 將傳統拓撲結構的功能（包括反激式、半橋式、諧振式等）擴展到 MHz 以上，從而實現了突破性設計的商業化應用。
特性 單片集成式柵極驅動 具有遲滯的寬邏輯輸入范圍 5 V/15 V 輸入兼容 寬 VCC范圍：10 V 至 30 V 可編程開啟 dV/dt 200 V/ns dV/dt 抗擾度 650 V eMode GaN FET 可提供低至 120 mΩ、170 mΩ 和 300 mΩ 的電阻 2MHz 工作頻率 小巧的薄型 SMT QFN 封裝 5 mm x 6 mm 基底面，0.85 mm 高度 最小化封裝電感 符合 RoHS、無鉛和 REACH 標準 應用 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 降壓、升壓、半橋和全橋 有源箝位反激、LLC 諧振和 D 類 移動快速充電器和適配器 筆記本電腦適配器 LED 照明和太陽能微型逆變器 電視顯示器和無線電源 服務器、電信和網絡 SMPS
