IPP032N06N3G TO-220INFINEON 最新批號！

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品牌：Infineon
封裝：DIP
批號：其他
型號：IPP032N06N3G

IPP032N06N3G數據表

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

安裝風格: Through Hole

裝 / 箱體: TO-220-3

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 124 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Tube

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 4.4 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 149 S, 75 S

下降時間: 20 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 120 ns

工廠包裝數量: 500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 62 ns

典型接通延遲時間: 35 ns

零件號別名: IPP032N06N3GHKSA1 IPP32N6N3GXK SP000453612

單位重量: 6 g

NPN三極管和PNP三極管的電路符號圖作者：weishao NPN三極管和PNP三極管的電路符號圖，三極管共有三個電極，分別是基極（用B表示）、集電極（用C表示）和發射極（用E表示）

三極管共有三個電極，分別是基極（用B表示）、集電極（用C表示）和發射極（用E表示），

電路符號中的不同表示形式區分了三極管的各電極，記憶時首先記住有箭頭的是發射極。