功能應用程序描述系統分區圖

LDO，熱輸出驅動器和UVLO電源管理LDO、TOUT和電源模式控制2攝氏度

容量預測誤差<1%SMBus包+包裝- - - - - -放電/充電/

預先充電場效應晶體管細胞和包電壓測量預先充電

場效應晶體管驅動兩層的過電流保護32-kHz時鐘發電機bq2084

768字節的Flash用戶保險絲1stLevel OV和防紫外線包欠壓電源模式

控制預先充電控制延遲計數器單元格平衡算法與控制細胞平衡

開車系統接口系統監督電壓電平轉換器

系統接口32 kHz功率模式控制故障安全保護T1

1stLevel OC保護溫度測量< 1%的誤差色彩供應V電壓

bq29312APCH場效應晶體管驅動

SBS v1.1數據RAM寄存器

bq29312 RAM /審稿驗證

二級過壓保護

XAlert

睡眠檢測電阻(西10 - 30米)PF輸入

bq29312A電池管理BQ29312APW

slus629a - 2005年1月- 2005年8月修訂

二電池、三電池和四電池鋰離子或電池管理BQ29312APW

鋰聚合物電池保護AFE電池管理BQ29312APW

•2-、3-或4單元系列保護控制

•Can direct•醫療和測試設備電池管理BQ29312APW

接口與bq2084氣體

•便攜式儀表

在bq29312A中，初始狀態為CHG-FET = OFF, ZVCHG- fet = ON, V(ZVCHG)固定在3.5

最初V。然后，充電器施加恒定的電流，使V(電池組)升高到足以通過預充電的高度

例如，如果V(GS)

此時為2v, V(PACK)

等于3。5 V + 2 V = 5。5 V。此外,

此時在其MOS飽和區使用ZVCHG-FET使V(DS)

表示如下:

V(PACK) = V(BAT) + VF + VDS(ZVCHG-FET)

其中V(F) = 0.7 V為DSG-FET后置二極管正向電壓，一般為0.7 V。

由此可得:

VDS = 4.8 V - V(BAT)

電池充電時V(BAT)

隨著電壓的增加，電壓降至線性區域。為

例如:如果線性區域為0.2 V，則此狀態將持續到V(BAT) = 4.6 V(4.8 V - 0.2 V)。

V(蝙蝠)

進一步增加，V(包)和V(GS)電壓增加。但是VDS仍然是0。2 V，因為

ZVCHG-FET在其MOS線性區域B點驅動。

V(PACK) = VF + 0.2 V + V(BAT)

其中VF = 0.7 V是DSG-FET后置二極管的正向電壓，通常為0.7 V

R(ZVCHG)的目的是在ZVCHG- fet和電阻之間分散散熱。

ZVCHG引腳行為如圖9所示，其中V(ZVCHG)

一開始是0 V。