TLC27L2CDR一級優質供應原裝正品現貨,TLC27L2CDR這些設備使用德州儀器硅柵門設計技術,提供偏移電壓
穩定性遠遠超過了傳統的金屬柵過程所具有的穩定性。
極高的輸入阻抗、低偏置電流和低功耗使得這些具有成本效益
適用于高增益、低頻率、低功率應用的設備。提供四個偏移電壓等級
(c-后綴和i-后綴類型),范圍從低成本的tlc 27l2(10 mv)到高精度的tlc 27l7
(500微米v)。這些優點,結合良好的共模排斥和供應電壓排斥,
讓這些設備成為新的最先進的設計以及升級現有設計的好選擇。
一般來說,許多與雙極技術相關的特性都可以在Lincmos運算放大器中找到,
卻沒有雙極技術的能量懲罰。一般的應用,如傳感器接口,模擬
計算、放大器塊、有源濾波器和信號緩沖很容易用tlc 27l2和
tlc 2717.該裝置還具有低壓單電源操作和超低功耗;
使它們非常適合遠程和不可訪問的電池供電應用程序。共模輸入
電壓范圍包括負軌。
可提供多種包裝選擇,包括高密度的小輪廓和芯片載體版本
系統應用.
設備的輸入和輸出被設計成能夠承受−100ma的浪涌電流,而不需要維持鎖頂。
tlc 27l2和tlc 27l7包含了內部保護電路,可以防止
在mir-std-883c,方法3015.2下測試的2000伏電壓;但是,應在
將這些設備處理為暴露于esd,可能會導致設備參數性能的退化。
c-后綴裝置的特征是從0°c到70°c。對i-后綴裝置進行了表征
用于從−40°c到85°c的運算。對m-后綴裝置進行了定性,以便在整個軍事系統中使用
溫度范圍為−55°c至125°c。