說起國產芯片，大家都知道較之國際頂尖水平，是相對較落后的，尤其是芯片制程上，比之國際頂尖水平，差不多有3代的差距。
比如目前中芯國際的水平是28nm、華虹半導體的水平也是28nm，而臺積電已經邁入7nm時代，甚至最近還傳出正式啟動2nm工藝的研發，不過中芯國際今年會進入14nm時代了，也算是好消息了。
也正因為如此，所以一說國產芯片有什么突破，網友們都要質疑，說技術怎么樣，是不是落后產品，因為大家的潛意思里總是覺得國產在芯片方面會落后些，甚至有可能是撿了國外的落后生產線來生產。
所以最近當長鑫存儲表示今年會推出8GB的DDR4內存時，網友們也是持懷疑態度，稱是不是制程比較落后？所以生產出來的產品，會不會性能較之三星、SK海力士、鎂光等會不會有較大的差距？
但我要告訴你，這次國產內存并沒有采用落后的制程工藝哦，長鑫存儲要量產的DDR4內存采用的是19nm工藝，這也是全球第四家采用20nm以下工藝的內存廠商。
前三大廠商自然是三巨頭三星、SK海力士、鎂光了。三星在DDR4上目前采用的是主要是14nn工藝，SK海力士、鎂光主流產品采用的也是14nm工藝，而下一代則是10nm工藝，目前三大廠已研發成功，但并沒有大批量生產，預計會在今年三季度或年底才會大規模生產。
可見，相比于三星、SK海力士、鎂光，長鑫存儲的工藝也只相差了一代左右，而這一代的差距體現在產品上，差距應該會有的，但差距并不會那么明顯的，而按照長鑫的計劃，明年會研發17nm，到2021年會進步到10nm左右。
所以說，在內存方面，這次我們真的不是按照落后的工藝來的，完全和三星、SK海力士、鎂光等大廠相差不太大，大家要對國產內存有信心一點。
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