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MT41K256M16HA-125:E

發布時間:2019/8/12 14:07:00 訪問次數:183 發布企業:深圳振華航空半導體有限公司

圖1:SK海力士NAND產品發展路線圖 圖1:SK海力士NAND產品發展路線圖 多級存儲器最終達到5bit/cell 在當天的FMS會上,讓人驚訝的是,東芝存儲也宣布了兩項基本技術來提高3D NAND閃存的存儲密度。 圖2:通過東芝存儲的QLC(4位/單元)技術分配閾值電壓。 圖2:通過東芝存儲的QLC(4位/單元)技術分配閾值電壓。 圖2: 通過東芝存儲的QLC(4位/單元)技術分配 閾值電壓 一種是多值存儲技術。該公司宣布將開發“PLC技術”,將5位數據存儲在一個存儲單元中。這聽起來是一個令在場聽眾超級震驚的消息。 圖3:東芝存儲公司推出的PLC(5位/單元)技術的閾值電壓分布。 圖3:東芝存儲公司推出的PLC(5位/單元)技術的閾值電壓分布。 傳統的多級存儲系統通常是QLC(四級單元)技術,其將4位數據存儲在一個存儲器單元中。在QLC技術中,在一個存儲器單元中寫入15級的閾值電壓。相鄰閾值電壓之間的差異很小并且調整非常困難。因此,QLC技術被認為是多級存儲的限制。 然而,東芝存儲已經打破了這種信念。他們已經展示了當在一個存儲器單元中寫入31個閾值電壓時的實驗結果。東芝聯合開發合作伙伴Western Digital也展示了一個包含5位/單元的多級內存。順便說一句,將QLC更改為PLC會使內存密度增加25%。 圖4:Western Digital的多級存儲方法解釋幻燈片。 圖4:Western Digital的多級存儲方法解釋幻燈片。 圖4: Western Digital的多級存儲方法解釋幻燈片。 雙倍內存密度的終極方法 另一種技術是通過將存儲器單元的字線分成兩半來將每個存儲器通孔的存儲器單元數量加倍。盡管很難制造,但存在原則上存儲密度加倍的優勢。 東芝存儲展示了電荷陷阱(CT)單元和浮柵(FG)單元的橫截面觀察圖像,其中字線被分成兩半。 圖5:通過將存儲器單元字線分成兩半來將存儲器密度加倍。左邊是概念。右邊是原型單元結構和橫截面觀察圖像。 圖5:通過將存儲器單元字線分成兩半來將存儲器密度加倍。左邊是概念。右邊是原型單元結構和橫截面觀察圖像。 圖5: 通過將存儲器單元字線分成兩半來將存儲器密度加倍。 左邊是概念。 右邊是原型單元結構和橫截面觀察圖像。

3D NAND閃存主要供應商開發的意愿似乎根本沒有削弱。毫無疑問,超高層,多值存儲和存儲器單元劃分是極其困難的技術。不過,可以說這個行業別無選擇,只能去做。

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公司:深圳振華航空半導體有限公司
公司熱線:400-8855-170
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