描述：FDS6675BZ

FDS6675BZ：-30V P溝道PowerTrench®MOSFET
此P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。
該器件非常適合筆記本電腦和便攜電池組中的電源管理和負載開關應用。

特性：FDS6675BZ
VGS = -10V，ID = -11A時，最大rDS（on）=13mΩ
VGS = -4.5V，ID = -9A時，最大rDS（on）=21.8mΩ
擴展了VGS范圍（-25V），適合電池應用
HBM ESD保護等級典型值為5.4kV（注3）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
高功率和高電流處理能力
符合RoHS標準

應用：FDS6675BZ
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。
能源管理
負載開關

制造商:FDS6675BZ
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
11 A
Rds On-漏源導通電阻:
10.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.75 mm
長度:
4.9 mm
系列:
FDS6675BZ
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
3.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
34 S
下降時間:
60 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7.8 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
120 ns
典型接通延遲時間:
3 ns
單位重量:
130 mg