TC7W14FU TOSHIBA/東芝 SOP-8封裝 原裝現貨供應！
規格
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Toshiba
產品種類: 變換器
RoHS: 詳細信息
電路數量: 1 Circuit
邏輯系列: TC7W
邏輯類型: Schmitt Inverter
電源電壓-最大: 6 V
電源電壓-最小: 2 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOP-8
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
輸入類型: C2MOS
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
輸出類型: LSTTL
系列: TC7W14
商標: Toshiba
輸入電平: C2MOS
輸出電平: LSTTL
產品類型: Inverters
傳播延遲時間: 11 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: Logic ICs
單位重量: 23.400 mg
泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術的持續發展
近日，全球領先的半導體制造設備及服務供應商泛林集團宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。通過推出用于背面薄膜沉積的設備VECTOR DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設備EOS GS，泛林集團進一步拓展了其應力管理產品組合。
泛林集團推出晶圓應力管理解決方案以支持3D NAND技術的持續發展
高深寬比沉積和刻蝕工藝是實現3D NAND技術持續發展的關鍵因素。隨著工藝層數的增加，其累積的物理應力越來越大，如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過程中的一個主要挑戰。嚴重的晶圓翹曲會影響光刻焦深、層與層之間的對準、甚至導致圖形結構畸變，從而降低產品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造工藝中多個步驟在晶圓、晶片和圖形層面的應力進行細致管理，甚至因此放棄一些可提升產品性能的工藝步驟。
VECTOR DT系統是泛林集團等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)產品系列的最新產品，旨在為控制3D NAND制造中的晶圓翹曲提供一種高性價比的解決方案。在完全不接觸晶圓正面的情況下，VECTOR DT可在晶圓背面沉積一層可調節、高應力、高質量的薄膜，一步到位地拉平翹曲的晶圓，改善光刻結果，減少由翹曲引起的諸多問題。VECTOR DT問世之初便得以廣泛采用，隨著主流3D NAND產品向96層以上推進，其機臺安裝數量將會持續增長。
除了沉積高應力薄膜，泛林集團還提供了背面刻蝕的技術，客戶可根據工藝需要，在3D NAND制造流程中靈活地調整晶圓應力。泛林集團的濕法刻蝕產品EOS GS擁有業界領先的濕法刻蝕均勻度，能在充分保護晶圓正面的前提下，同時去除背面和邊緣的薄膜，與VECTOR DT形成有力互補。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團的EOS GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。
泛林集團副總裁兼沉積產品事業部總經理Sesha Varadarajan表示：“隨著客戶產品的存儲單元層數持續、大幅的增加，累積應力和晶圓翹曲會超過光刻設備處理能力的極限。為了達到預期良率，實現單位字節成本降低的路線圖，將應力引起的畸變降至最低至關重要。伴隨VECTOR DT和EOS GS產品的推出，我們擴大了現有的應力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產中的應力，支持客戶縱向技術的持續發展。”
TC7SZ125FU
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