FM25L16B-G是一個16 kbit的非易失性存儲器先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取內存或F-RAM是非易失性的，執行讀和寫類似于公羊。它提供了151年的可靠數據保存同時消除復雜性、開銷和系統級別由串行閃光、EEPROM等引起的可靠性問題非易失性記憶。與串行閃存和EEPROM不同
FM25L16B-G執行寫操作以總線速度運行。沒有發生寫延遲。數據是在每個字節之后立即寫入內存數組成功轉移到設備上。下一輛公共汽車可以開始不需要進行數據輪詢。此外,
與其他產品相比，該產品具有強大的寫持久性非易失性記憶。
FM25L16B-G能夠支持1014個讀/寫周期，或者1億次以上的寫周期eepm。這些功能使FM25L16B-G成為非易失性的理想選擇需要頻繁或快速寫入的內存應用程序。例子的范圍從數據收集，其中寫入的數目周期可能是關鍵，要求工業控制的地方串行閃存或EEPROM寫入時間長會導致數據丟失。
FM25L16B-G為串行用戶提供了大量的好處EEPROM或flash作為硬件替代。
FM25L16B-G采用高速SPI總線，提高了系統的可靠性F-RAM技術的高速寫入能力。該設備規格在工業溫度下保證一系列 –40 °C , +85 °C.有關文檔的完整列表，請單擊此處
特征
邏輯上16 kbit鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)
組織形式為2K×8
❐high endurance 100萬億(1014)讀/寫
❐151年數據保留(見數據保留和
耐力表)
❐NoDelay™寫道
❐先進的高鐵電的過程
■非常快的串行外圍接口(SPI)
❐20 MHz的頻率
硬件代替串行flash和eepm❐直接
❐支持SPI模式0(0,0)和模式3 (1)
■完善的寫保護方案
❐硬件保護使用寫保護(WP)銷
使用寫禁用指令❐軟件保護
❐軟件塊保護1/4、1/2或整個數組
■低功耗
在 1 MHz ❐ 200 mA 有功 電流
❐ 3 mA (typ) 待機 電流
■低壓運行:VDD = 2.7 V ~ 3.6 V
■ Industrial temperature: –40 °C , +85 °C
■包
❐有小輪廓集成電路(SOIC)包
❐有薄雙平沒有領導(DFN)包
■符合RoHS的有害物質限制
制造商： Cypress Semiconductor
說明：
F-RAM 16Kb Serial SPI 3V FRAM
制造商: Cypress Semiconductor
產品種類: F-RAM
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
存儲容量: 16 kbit
接口類型: SPI
組織: 2 k x 8
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: FM25L16B-G
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
商標: Cypress Semiconductor
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 3.3 V
產品類型: FRAM
工廠包裝數量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 540 mg
