描述：FDS4935BZ

FDS4935BZ：-30V雙P串聯PowerTrench®MOSFET
該P溝道MOSFET特別為提高DC / DC轉換器的整體效率而設計，采用同步或傳統開關脈寬調制（PWM）控制器及電池充電器。
與其他具有可比RDS（ON）規格的MOSFET相比，這些MOSFET擁有更快的開關速度和更低的柵極電荷。
結果是MOSFET易于驅動，并且驅動安全性更高（即使在非常高的頻率），而且DC / DC電源設計具有更高的整體效率。

特性：FDS4935BZ
–6.9 A，–30 V
RDS（ON）= 22mΩ@ VGS = –10 V
RDS（ON）= 35mΩ@ VGS =-4.5 V
擴展了VGSS范圍（-25V），適合電池應用
靜電放電（ESD）保護二極管（注3）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
高功率和高電流處理能力
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。

制造商:FDS4935BZ
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
6.9 A
Rds On-漏源導通電阻:
18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.6 W
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.75 mm
長度:
4.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDS4935BZ
晶體管類型:
2 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
3.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
22 S
下降時間:
13 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
13 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
68 ns
典型接通延遲時間:
12 ns
單位重量:
187 mg