一般說明：S34ML04G200TFI000
Spansion S34ML01G2，S34ML02G2和S34ML04G2系列提供3.3 VCC和VCCQ電源電源，并帶有x8或x16 I / O接口。其NAND單元為固態硬盤提供了最具成本效益的解決方案國家大容量存儲市場。存儲器分為多個塊，可以獨立擦除，因此可以在擦除舊數據的同時保留有效數據。 x8的頁面大小為（2048 +備用）字節；對于x16（1024 +備用）字詞。為了延長NAND閃存設備的使用壽命，必須實施ECC。該芯片支持CE＃無關功能。此功能允許直接從由于CE＃轉換不會停止讀取操作，因此由微控制器提供的NAND閃存設備。設備具有讀取緩存功能，可以提高大文件的讀取吞吐量。緩存期間讀取時，設備將數據加載到高速緩存寄存器中，而先前的數據將傳輸到I / O緩沖區被閱讀。像所有其他2 kB頁NAND閃存設備一樣，編程操作通常會寫入2 KB（x8）或1 kword（x16）在300 μs內，擦除操作通常可以在3 ms（S34ML01G2）中在128 kB的塊上執行（x8）或64k字塊（x16）。此外，由于采用了多平面架構，因此可以編寫兩個頁面一次（每個平面一個）或一次擦除兩個塊（再次，每個平面一個）。多平面架構使編程時間減少40％，擦除時間減少50％。在多平面操作中，可以以每字節25 ns的循環時間讀取頁面中的數據。 I / O引腳用作用于命令和地址輸入以及數據輸入/輸出的端口。該接口可減少引腳數量少，并且易于遷移到不同的密度，而無需重新布置占地面積。使用CE＃，WE＃，ALE和CLE控件異步引入命令，數據和地址引腳。片上編程/擦除控制器可自動執行所有讀取，編程和擦除功能，包括脈沖必要時進行重復，以及內部驗證和數據保證金。 WP＃引腳可用于提供針對編程和擦除操作的硬件保護。輸出引腳R / B＃（漏極開路緩沖器）在每次操作期間向設備發出信號。它確定是否程序/擦除/讀取控制器當前處于活動狀態。開漏輸出的使用允許就緒/忙碌狀態多個存儲器中的引腳連接到單個上拉電阻。在具有多個內存的系統中，R / B＃引腳可以連接在一起以提供全局狀態信號。重新編程功能可優化有缺陷的塊管理-當頁面編程時操作失敗，可以直接在同一數組部分內的另一頁中編程數據，而無需耗時的串行數據插入階段。還支持多平面復寫。復制回讀（單面和多面）后讀取的數據情況）。此外，“高速緩存程序”和“多平面高速緩存程序”操作可通過以下方式提高編程吞吐量：使用緩存寄存器對數據進行編程。
該設備具有兩項創新功能：頁面重新編程和多平面頁面重新編程。這一頁重新編程重新編程一頁。通常，此操作在頁面程序失敗后執行操作。同樣，“多平面頁面重新編程”可以并行地重新編程兩個頁面，每個平面一個。該第一頁必須在第一平面上，而第二頁必須在第二平面上。多平面頁面多平面頁面編程操作失敗后，將執行重新編程操作。頁面重新編程和Multiplane Page Reprogram保證了性能的提高，因為可以省略數據插入在重新編程操作期間。該設備采用TSOP48（12 x 20 mm）封裝，具有以下安全性

特征
OTP（一次性可編程）區域，這是一個受限制的訪問區域，可以在其中存儲敏感數據/代碼永久存儲。
序列號（唯一標識符），用于唯一標識設備。聯系工廠
支持此功能。這些安全功能受NDA（保密協議）的約束，因此未進行描述。

特色：S34ML04G200TFI000
密度
– 1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
架構
–輸入/輸出總線寬度：8位/ 16位
- 頁面大小：
– x8：
1 Gbit：（2048 + 64）字節； 64字節備用區
2 Gbit / 4 Gbit：（2048 + 128）字節; 128字節備用區
– x16：
1 Gbit：（1024 + 32）個字； 32字備用區
2 Gbit / 4 Gbit（1024 + 64）個字; 64字備用區
–塊大小：64頁
– x8：
1 Gbit：128k + 4k字節
2 Gbit / 4 Gbit：128k + 8k字節
– x16
1 Gbit：64k + 2k字
2 Gbit / 4 Gbit：64k + 4k字
–飛機尺寸
– x8
1 Gbit：每平面1024個塊或（128M + 4M）字節
2 Gbit：每平面1024個塊或（128M + 8M）字節
4 Gbit：每平面2048個塊或（256M + 16M）字節
– x16
1 Gbit：每平面1024個塊或（64M + 2M）個字
2 Gbit：每平面1024個塊或（64M + 4M）個字
4 Gbit：每平面2048個塊或（128M + 8M）個字
–設備尺寸
– 1 Gbit：每個設備1個平面或128 Mbyte
– 2 Gbit：每個設備2個平面或256 Mbyte
– 4 Gbit：每個設備2個平面或512 Mbyte
NAND閃存接口
–符合開放式NAND閃存接口（ONFI）1.0
–地址，數據和命令多路復用
電源電壓
– 3.3V器件：VCC = 2.7V〜3.6V
安全性
–一次性可編程（OTP）區域
–序列號（唯一ID）（請聯系工廠以獲取支持）
–電源轉換期間禁用了硬件程序/擦除
附加功能
– 2 Gb和4 Gb部件支持多平面編程和擦除
命令
–支持回寫計劃
– 2 Gb和4 Gb部件支持多平面回寫程序
–支持讀取緩存
電子簽名
–制造商ID：01h
工作溫度
–工業：-40°C至85°C

性能：S34ML04G200TFI000
頁面讀取/編程
–隨機訪問：25 μs（最大值）（S34ML01G2）
–隨機訪問：30 μs（最大值）（S34ML02G2，S34ML04G2）
–順序訪問：25 ns（最小值）
–編程時間/多平面編程時間：300 μs（典型值）
塊擦除（S34ML01G2）
–塊擦除時間：3毫秒（典型值）
塊擦除/多平面擦除（S34ML02G2，S34ML04G2）
–塊擦除時間：3.5毫秒（典型值）
可靠性
– 100,000個編程/擦除周期（典型值）
（每528個字節（x8）或264個字（x16）具有4位ECC）
– 10年數據保留（典型值）
–塊零和塊一有效，并且有效期至少為1000
ECC的編程擦除周期
封裝選項
–無鉛和低鹵素
– 48引腳TSOP 12 x 20 x 1.2 mm
– 63球BGA 9 x 11 x 1毫米
– 67球BGA 8 x 6.5 x 1毫米（S34ML01G2）

制造商:S34ML04G200TFI000
SkyHigh Memory
產品種類:
NAND閃存
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-48
系列:
S34ML04G2
存儲容量:
4 Gbit
接口類型:
Parallel
組織:
512 M x 8
定時類型:
Asynchronous
數據總線寬度:
8 bit
電源電壓-最小:
2.7 V
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電流—最大值:
30 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
封裝:
Tray
存儲類型:
NAND
產品:
NAND Flash
速度:
30 ns
結構:
Multiplane
商標:
SkyHigh Memory
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NAND Flash
工廠包裝數量:
96
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
4.134 g