特性

■128 kbit鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)

邏輯組織為16K×8

❐high endurance 100萬億(1014)讀/寫

❐151年數據保留(見數據保留和

耐力表)

❐NoDelay™寫道

❐先進的高鐵電的過程

■非常快的串行外圍接口(SPI)

❐40-MHz頻率

硬件代替串行flash和eepm❐直接

❐支持SPI模式0(0,0)和模式3 (1)

■完善的寫保護方案

❐硬件保護使用寫保護(WP)銷

使用寫禁用指令❐軟件保護

❐軟件塊保護1/4、1/2或整個數組

■設備ID

❐制造商ID和產品ID

■低功耗

在40 MHz❐2.5 ma有功電流

❐ 150 - A 待機 電流

❐ 8-A 睡眠 模式

■低壓運行:VDD = 2.0 V ~ 3.6 V

■ Industrial temperature: –40 C , +85 C ■ 有 小 輪廓 集成 電路 (SOIC) package

■符合RoHS的有害物質限制

功能描述

FM25V01A是一個128 kbit的非易失性存儲器

先進的鐵電的過程。F-RAM是非易失性的

執行類似于RAM的讀寫操作。它提供了可靠的

數據保留了151年，同時消除了復雜性，

開銷和由串行引起的系統級可靠性問題

flash、EEPROM和其他非易失性存儲器。

與串行閃存和EEPROM不同，FM25V01A執行寫操作

以總線速度運行。沒有發生寫延遲。數據是

在每個字節之后立即寫入內存數組

成功轉移到設備上。下一輛公共汽車可以

開始不需要進行數據輪詢。此外,

與其他產品相比，該產品具有強大的寫持久性

非易失性記憶。FM25V01A能夠支持

1014個讀/寫周期，或者1億次以上的寫周期

eepm。

這些功能使得FM25V01A非常適合非易失性

需要頻繁或快速寫入的內存應用程序。

示例范圍從數據日志記錄(寫入的數量)開始

周期可能是關鍵，要求工業控制的地方

串行閃存或EEPROM寫入時間長會導致數據丟失。

FM25V01A為串行用戶提供了大量的好處

EEPROM或flash作為硬件替代。的

FM25V01A采用高速SPI總線，提高了系統的可靠性

F-RAM技術的高速寫入能力。該設備

包含一個只讀設備ID，允許主機這樣做

確定制造商、產品密度和產品

修訂。該設備的規格是有保證的

工業 范圍 的 –40 C , +85 C.