SiC 功率 MOSFET ROHM 的 SiC MOSFET 具有低導通電阻和低開關損耗

ROHM的碳化硅 (SiC) MOSFET 可提供各種額定電流和封裝。它們具有各種導通電阻，電壓 (VDSS) 額定值為 650 V、1,200 V 或 1,700 V。與 IGBT 不同的是，它們在關斷期間沒有尾電流，因而可以更快地運行并降低開關損耗。此外，與硅器件不同，其導通電阻即使在高溫下也保持相對恒定，從而使傳導損耗最小化。提供具有最大短路耐受時間的第二代平面和具有更小的輸入電容和較低柵極電荷模型的第三代溝槽。裸芯片額定電壓最高可達 1,700 V。

特性 開關速度快，低損耗 最高結溫：+175 °C 封裝器件額定電壓為 650 V、1,200 V 或 1,700 V 導通電阻為 17mΩ 至 1,150 mΩ 提供 Spice 模型和熱模型 第二代平面技術，具有更長的短路耐受時間 對體二極管的使用沒有限制 具有低輸入電容的第三代溝槽技術 (CISS) 和低柵極電荷 (QG) 直流阻斷電壓：650 V、1,200 V、1,700 V. 極小的開關損耗 工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C 應用 用于感應加熱的逆變器 電機驅動逆變器 雙向轉換器 太陽能逆變器 功率調節器