一般說明：AO4407A
AO4407A使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON）和超低的低柵極電荷柵極額定電壓為25V。該設備適合用作負載開關或PWM應用中。
* RoHS和無鹵素投訴


制造商Alpha＆Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4407A
描述MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令（RoHS）的規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令（RoHS3）規范要求
濕氣敏感性等級（MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-12A（Ta）的-3.1W（TA）-8- SOIC

一般信息：AO4407A

數據列表AO4407A;
標準包裝3000
包裝標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -

規格：AO4407A

FET類型P通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（VDSS）30V
電流-連續連續（Id）（25°C時）12A（Ta）
驅動電壓（最大Rds On，最小Rds On）6V，20V
不同的Id，Vgs時的Rds On（延遲）11毫歐@ 12A，20V
不同Id時的Vgs（th）（每秒）3V @ 250μA
不同的Vgs時的二氧化碳含量（Qg）（每秒）39nC @ 10V
的Vgs（最大值）±25V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（每秒）2600pF @ 15V
場效應管功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）的
工作溫度-55°C〜150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SOIC
封裝/外殼8-SOIC（0.154“，3.90mm寬）