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立功率MOSFET是用于制造AC-DC開關轉換器(將交流電壓轉換成直流電壓)和DC-DC轉換器

(將一個直流電壓等級轉換成另一個電壓等級)的必要器件。

東芝正致力于盡可能程度地減少MOSFET損耗以進一步提升MOSFET的性能。

因為降低傳導和開關損耗有助于提升電源電路的工作效率。東芝確信這些工作最終能夠為實現一個更具能源意

識和可持續發展的社會作出積極的貢獻。東芝在開發和制造分立MOSFET器件領域擁有幾十年的生產經驗。

東芝的主要產品包括：中高壓DTMOSIV系列(VDSS=600V左右)、低壓U-MOSⅧ-H系列(VDSS=30-250V)。

東芝已開發出第4代超級結600-VDTMOSⅣMOSFET系列產品。通過采用先進的單層外延工藝，

DTMOSⅣ減少了30%的Ron?A,這是MOSFET相較于其前一代產品DTMOSⅢ所具有的一個數字化的優點(FOM)。

對于RonA的降低，實現了在相同封裝中安裝較低Ron芯片的可能。這也有助于提升效率和減小電源的尺寸大小。

4.可用的導通電阻范圍廣泛，RDS(ON):0.9Ω–0.018Ω5.多種封裝選擇插針式:TO-220,TO-220SIS,

IPAK,I2PAK,TO-3P(N),TO-3P(L),TO-247表面貼裝型：DPAK,D2PAK現貨供應全系列東芝TOS場

效應管TK5A60W、TK6A60W、TK7A60W、TK8A60W、TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W、2SK3564、

2SK3565、2SK3742、2SK3798、2SK3799、2SK4013、2SK4014、TK10A50D、TK10A55D、TK10A60D、

TK11A50D、TK11A55D、TK11A60D、TK11A65D、TK12A50D、TK12A53D、TK12A55D、TK12A60D、

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最新到貨，只做原裝SIHG20N50C-E3 VB30200C-E3/8W IRF840APBF IRLL110TRPBF
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