TrenchFET®功率MOSFET針對標準柵極驅動器進行了優化 Vishay的60 V MOSFET在PowerPAK®1212-8S封裝中提高了效率和功率密度

60 V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET是業界首款針對標準柵極驅動進行優化的MOSFET，采用耐熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝，在10 V時提供低至4mΩ的最大導通電阻。Vishay Siliconix SiSS22DN旨在提高開關拓撲結構的效率和功率密度，具有低QOSS和22.5 nC的柵極電荷。

特征 10 V時最大導通電阻低至4mΩ，可最大限度地降低導通損耗 低QOSS為34.2 nC，柵極電荷為22.5 nC，可降低開關時的功率損耗 采用緊湊的3.3 mm x 3.3mmPowerPAK®1212-8S封裝 100％RG和UIS測試，符合RoHS標準，不含鹵素 應用 AC / DC和DC / DC拓撲中的同步整流 DC / DC轉換器中的初級側開關，降壓 - 升壓轉換器中的半橋MOSFET功率級以及電信和服務器電源中的OR-ing功能 電動工具和工業設備中的電機驅動控制和電路保護 電池管理模塊中的電池保護和充電